硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。硅烷广泛应用于微电子、光电子工业。可用于制造高纯度多晶硅、单晶硅、微晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、异质硅、各种金属硅化物等。因为它高纯度和能实现精细控制,已成为许多其他硅源无
硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。
硅烷广泛应用于微电子、光电子工业。可用于制造高纯度多晶硅、单晶硅、微晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、异质硅、各种金属硅化物等。因为它高纯度和能实现精细控制,已成为许多其他硅源无法取代的重要特种气体。
硅烷气是太阳能电池生产过程中不可或缺的材料，因为它是将硅分子附着于电池表面的最有效方式。在高于400℃的环境下，硅烷气分解成气态硅和氢气。氢气燃烧后，剩下的就是纯硅了。此外，硅烷气可以说是无处不在。除了光伏产业外，还有很多制造工厂需要用到硅烷气，如平板显示器、半导体、甚至镀膜玻璃生产厂。
硅烷 硅烷气体 5N高纯硅烷气
英文名称：Sulfane
CAS号：7803-62-5
分子式：SiH4
分子量：32.12
规格：99.999%
包装：44L、47L钢瓶充装，也可根据客户需要，分装到8L的气瓶中
熔点(101.325kPa)： -185.0℃
沸点(101.325kPa)： -111.5℃
液体密度(-185℃)： 711kg/m3
气体密度(0℃，100kPa)： 1.42kg/m3
相对密度(气体，空气=1，20℃，101.325kPa)：1.114
比容(21.1℃，101.325kPa)： 0.7518m/kg
气液容积比(15℃，100kPa)：412L/L
临界温度： -3.4℃
临界压力：4843kPa
